memory - NAND フラッシュ メモリ セルが空の場合にのみ直接書き込むことができるのはなぜですか?

Question

SSDに関して、セルに書き込む前にセルを消去する必要がある理由と、時間の経過とともにセルがどのように遅くなるかを理解しようとしています。

Answer 1

セルに書き込む前にセルを消去する必要がある理由を理解しようとしています

書き込む前にフラッシュ メモリ セルを消去する必要はありません。ただし、一度に書き込むことができるセルのブロック全体は 1 つだけです。通常、これらのセルのブロックのサイズは少なくとも 128KB です。

4KB のファイルを SSD に書き込んでいるとします。一度に 128KB ブロックを 1 つ書き込む必要があります。その 128KB ブロックに既にデータがある場合、ドライブ ファームウェアは 128KB ブロックをメモリに読み込み、書き込み先の 4KB セクションを変更してから、128KB ブロック全体をフラッシュ メモリに書き戻す必要があります。

Answer 2

ウィキペディアの記事は、少なくとも答えを示唆しているようです。書き込みには「トンネル注入」、消去には「トンネル解放」が使われているようです。それが何を意味するのかを正確に説明するのは物理学者に任せる。

Answer 3

最新のフラッシュ チップの設計では、セルを一方向にプログラムする方が、他の方向よりも簡単にプログラムできます。それぞれが 65,536 バイトの 256 ブロックに 16,777,216 バイトを保持するチップを 1 つのユニットとしてのみ消去できる場合、個々のビットのプログラミングを可能にするために ~1 億 2800 万の「小さな」回路が必要になり、それらのブロックを消去するには 256 の「大きな」回路が必要になります。 . チップが 256 バイトのページを消去できるようにするには、65,536 個の「大きな」回路が必要になります。多くのページ消去回路によってチップのどの部分が使用されるかはわかりませんが、それは重要です。より大きな消去ブロックを使用すると、チップをより安価に製造できます。多くのアプリケーションでは、大きな消去ブロックを備えた安価なチップの方が、小さな消去ブロックを備えた高価なチップよりも適しています。