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parallel-processing - arduino で並列フラッシュ メモリ プログラマを作成する際の問題
私は非常に大規模なプロジェクトを持っており、これはその一部ですが、それでも不可欠です。私は SST と Microchip 製のパラレル フラッシュ メモリ チップを持っていますが (少し紛らわしいです)、書き込み保護をバイパスするのに問題があります。プログラマーが中国から発送されるのを待つ時間がないため、arduino メガを使用してプログラムしています。フラッシュ メモリのデータシートはこちら: http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/25022B.pdf
android - 1 秒に 1 回、フラッシュ メモリにファイルを書き込むことはどれほど有害ですか?
こんにちは、
スマートウォッチや携帯電話向けのアプリを開発しています。
一部のデータを電話からスマートウォッチに転送する必要があり、独自のライブラリの使用を避けたい.
そのため、スマートウォッチがデータを読み取ることができる Web サーバーをアプリに実装しました。
問題は、これを達成するために、毎秒ファイルにデータを書き込む必要があることです。
スマートウォッチはそのデータを毎秒ファイルにダウンロードしています。これは、フラッシュ メモリに毎秒数バイトが書き込まれることを意味します。
これが私たちのデバイスのメモリにとってどれほど有害なのか疑問に思っています. RAM のみを使用するようにサーバーを書き直すことは避けたいと思います。
そのため、OS はログ自体をメモリに保持しているため、毎秒ファイルに書き込むのが悪い習慣であるかどうか疑問に思っています。
前もって感謝します、
linux - Linux での永続ストレージ値の処理
エンベデッド ボードに QSPI フラッシュがあります。読み取りと書き込みを処理するドライバー + プロセス「Q」があります。SWリビジョン、IP、稼働時間などの変数を保存したい
ユーザー空間やその他のプロセスから値を読み書きするためのさまざまなアクセス権を処理する方法について提案をお願いしたいと思います。
変数ごとにファイルを用意することを考えていました。これらのファイルにアクセス権を割り当てることができ、値が変更された場合、プロセス Q はファイル内の値を変更できます。したがって、プロセス Q は書き込みのみを行い、他のプロセスまたはユーザーは読み取りのみを行うことができます。
しかし、私は書くことについて知りません。メッセージ キューまたは zeroMQ を使用して、その周りにソフトウェアを構築することを考えていましたが、やり過ぎではないかどうかはわかりません。しかし、とにかくアクセス権を管理する方法がわかりません。
最善のアプローチは何ですか?まったく違うアプローチでもご提案いただければ幸いです。ありがとう!
embedded - Beaglebone Black を再フラッシュした後、User LED 2 だけが点灯します。接続できません。なんで?
次の再フラッシュ手順に従って、ビーグルボード Web サイトと elinux Web サイトからダウンロードしたいくつかのイメージを使用して、Beaglebone Black を再フラッシュしようと何度か試みました。
http://derekmolloy.ie/write-a-new-image-to-the-beaglebone-black/
そして、プロセスが完了した後 (すべてのユーザー LED がオフになっている)、マイクロ SD を取り外してボードのスイッチを入れると、すべてのユーザー LED が点滅し始め (すべてが同時にではありません)、数秒後にユーザー LED 2 だけが点灯し続けます。 (固体)そして私はそれにアクセスできません。
c - YAFFS ファイルシステムは、256 バイト ページあたり 1 ビットを超える ECC をサポートしていますか?
YAFFS2 ソース (yaffs_ecc.c) から: 「ECC は 256 バイトのデータ ページのシングル ビット エラーを訂正できます。」
ただし、一部のフラッシュ メモリには ECC コードが必要です。たとえば、540 バイトあたり 8 ビット、または 528 バイトあたり 4 ビットなどを修正する必要があります。
YAFFS の ECC アルゴリズムは複数のエラーを修正できますか? 複数のエラーを修正し、最速で動作する ECC アルゴリズムの実現に関するリンクを教えてください。
c - フラッシュメモリからデータを消去できません (STM32)
STM32F407ボードのフラッシュ メモリにデータを保存しようとしています。それらを保存する前に、メモリ セクタを消去する必要があります。アドレス 0x08004000 で始まる16 キロバイトの Sector1を選択し、電圧範囲 2.1-2.7 Vを選択しました。HAL ライブラリを使用しています。
FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT; の後、プログラムは応答を停止します。HAL_FLASHEx_Erase() -> FLASH_Erase_Sector() 関数内の行。
私のせいだと確信していますが、何が悪いのかわかりません。
選択した電圧範囲またはセクタ数が間違っていませんか?
回答ありがとうございます。
arduino - Tiva TM4C123GH6PGE とのパラレル フラッシュのインターフェイス
tiva uC に接続されたパラレル フラッシュからデータを読み書きしようとしています。フラッシュ データ シートはこちらです。以下は私の次のコードですが、内容を読むとすべての値が 0 になります。どこが間違っているのでしょうか。 。私を助けてください。